讲座预告：极化库仑场散射对AlGaN/AlN/GaN电力电子器件电学特性的影响

所属栏目

学科建设学术讲座

讲座题目

极化库仑场散射对AlGaN/AlN/GaN电力电子器件电学特性的影响

主办单位

yl8cc永利官网

讲座开始时间（年-月-日-时-分）

2017年11月4日下午15:00

讲座结束时间（年-月-日-时-分）

2017年11月4日下午17:00

讲座地点

科信楼北907

主讲人

付晨

职务

山东大学微电子学院博士生

职称

讲师

单位

山东大学

学历

博士

学位

研究生

专家情况简介

付晨，男，山东大学微电子学院2014级博士生，主要从事GaN基电力电子器件的制备及工作机理的研究。已发表SCI论文1篇，在投3篇。曾于2005年7月至2014年5月就职于山东农业工程学院机械电子工程系担任通信技术专业及电气自动化专业专业课教师，共承担3177课时，参与多项科研项目，主持并参与了多本教材的编写工作。

参加对象

yl8cc永利官网教师

参加人数

30

主持人姓名

张跃聪

主持人职称

研究员

学院名称

yl8cc永利官网

主讲内容

半导体电力电子器件,又称为半导体功率器件,被广泛运用于商业民用、工业控制与军事装备等诸多领域中。

以GaN和SiC为代表的第三代宽禁带半导体材料因具有大的禁带宽度、高的临界击穿电场和极强的抗辐射能力等特点，在电力电子器件方面显示出卓越的优势。在AlGaN/GaN电力电子器件中，由于很难测试到AlGaN势垒层的应变变化，因此很少有关于钝化层和场板对AlGaN势垒层应变分布影响机制的报道。本讲座主要介绍了极化库仑场散射对2DEG 沟道载流子在钝化前后的不同作用关系，确定了钝化后AlGaN势垒层的应变分布,为优化材料和器件结构，进一步提高器件频率和功率性能提供了重要的参考。